The effect of doping concentration on the characteristics of n-channel MOSFET /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Teen, Soh Hong |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2005.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study on hot carrier effect (HCE) on LDD n-MOSFET /
بواسطة: Haziezol Helmi Mohd Yusof
منشور في: (2013) -
Extraction of submicron mosfet parameters /
بواسطة: Seah, Kah Suan
منشور في: (1997) -
A study on the impact of processing parameters on low-voltage power MOSFET /
بواسطة: Nur Aqilah Othman
منشور في: (2012) -
Optimization and characterization of 130 Nm CMOS transistor design using TCAD simulation /
بواسطة: Hani Noorashiqin Abd Majid
منشور في: (2007) -
Simulation of charge-trapping in nano-scale mosfets in the presence of random-dopants-induced variability /
بواسطة: Muhammad Faiz Bukhori
منشور في: (2011)