A study of stress in backend metallization in ULSI devices /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Goh, Chia Lan |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2006.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study on integrated circuits I-V characteristics using fault localization system /
بواسطة: Quah, Larry Thiam Soon
منشور في: (1995) -
Development of design framework to overcome aging degradation of 16NM VLSI technology circuits /
بواسطة: Mahmoud, Mohamed Mounir
منشور في: (2013) -
Probing technique for energy distribution of positive charges in gate dielectrics and its application to lifetime prediction /
بواسطة: Sharifah Fatmadiana Wan Muhamad Hatta -
Process integration issues of self-aligned titanium silicide technology (Ti-Salicide) in deep sub-micron CMOS devices fabrication /
بواسطة: Lim, Chong Wee
منشور في: (1998) -
Modelling the stresses in VLSI plastic packages /
بواسطة: Ng, Kiang Chong
منشور في: (1989)