Yong, Y. H. (2006). Gate oxide integrity (GOI) for C13 (0.13 [micro]m) silicon processing technology.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Yong, Yoong Hooi. Gate Oxide Integrity (GOI) for C13 (0.13 [micro]m) Silicon Processing Technology. 2006.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Yong, Yoong Hooi. Gate Oxide Integrity (GOI) for C13 (0.13 [micro]m) Silicon Processing Technology. 2006.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.