Hoveizavi, F. B. (2011). Design of capacitive sensor interfacing circuit using 0.18 um complementary metal oxide semiconductor technology.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Hoveizavi, Fatemeh Banitorfian. Design of Capacitive Sensor Interfacing Circuit Using 0.18 Um Complementary Metal Oxide Semiconductor Technology. 2011.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Hoveizavi, Fatemeh Banitorfian. Design of Capacitive Sensor Interfacing Circuit Using 0.18 Um Complementary Metal Oxide Semiconductor Technology. 2011.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.