A study of deep levels in laser-prepared silicon rectifying junctions using a computer-controlled DLTS system /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Woon, Hin Swee |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1988.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Computer controlled transient capacitance measurement and analysis of deep levels in semiconductors /
بواسطة: Wu, Zongmin
منشور في: (1996) -
Effects of isotopic neutron emission on silicon substrate /
بواسطة: Roslan bin Yahya
منشور في: (2009) -
Synthesis and characterization of porous carbon composite derived from biomass waste for supercapacitor application /
بواسطة: Sim, Cheng Kim
منشور في: (2020) -
Pulsed laser illumination of ion implanted silicon /
بواسطة: Wilson, Martin Clive
منشور في: (1983) -
Further modelling of scebic transients in semiconductors /
بواسطة: Teo, Choon Hiong
منشور في: (1999)