Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor (LDMOS) transistor Safe Operating Area (HCI-SOA) characterization under hot carrier injection /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Sharifah Shafini Syed Shahabuddin (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study of hot carrier degradation in LDMOS transistor /
بواسطة: Atikah Razi
منشور في: (2013) -
Impact of fabrication process on hot carrier injection in VDMOS transistor /
بواسطة: Murti, Wijaya Bayu
منشور في: (2013) -
Characterization of hot-carrier degradation in submicrometer MOS transistors /
بواسطة: Ang, Diing Shenp
منشور في: (1997) -
Hot-carrier characterization of submicrometer MOS transistors : subthreshold degradation and channel-width effect /
بواسطة: Qin, Wei Han
منشور في: (1998) -
Hot-carrier characterization of tungsten polycide gate and graded-junction MOS transistors /
بواسطة: Lou, Choon Leong
منشور في: (1997)