Penumbuhan lapisan epitaksi PHEMT dengan menggunakan epitaksi alur molekul (MBE) /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Dee, Chang Fu |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | Malay |
منشور في: |
Bangi :
Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia,
2006
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Optical monitoring of alluminium deposition on gallium arsenide by chemical beam epitaxy /
بواسطة: Muhammad Azmi Abdul Hamid
منشور في: (1999) -
A study of traps in semi-insulating GaAs grown by MBE at low temperatures /
بواسطة: Goo, Chuen Hang
منشور في: (1997) -
Pembangunan akselerometer berdasarkan proses polisilikon epitaksi tebal /
بواسطة: Mohd Ismahadi Syono
منشور في: (2008) -
Defect studies of MBE grown AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs materials /
بواسطة: Du, An Yan
منشور في: (1998) -
Growth and characterization of InGaAlAs quaternary alloy for laser diode applications /
بواسطة: Ramam Akkipeddi
منشور في: (1997)