Penumbuhan lapisan epitaksi PHEMT dengan menggunakan epitaksi alur molekul (MBE) /
Saved in:
主要作者: | Dee, Chang Fu |
---|---|
格式: | Thesis 圖書 |
語言: | Malay |
出版: |
Bangi :
Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia,
2006
|
主題: | |
標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
相似書籍
-
Optical monitoring of alluminium deposition on gallium arsenide by chemical beam epitaxy /
由: Muhammad Azmi Abdul Hamid
出版: (1999) -
A study of traps in semi-insulating GaAs grown by MBE at low temperatures /
由: Goo, Chuen Hang
出版: (1997) -
Pembangunan akselerometer berdasarkan proses polisilikon epitaksi tebal /
由: Mohd Ismahadi Syono
出版: (2008) -
Defect studies of MBE grown AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs materials /
由: Du, An Yan
出版: (1998) -
Growth and characterization of InGaAlAs quaternary alloy for laser diode applications /
由: Ramam Akkipeddi
出版: (1997)