Kesan kepekatan pengedopan boron dan fosforus ke atas voltan runtuh bagi simpang p-n silikon /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Nurul Afzan Omar (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | Malay |
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Pembangunan diodfoto planar P-I-N silikon /
بواسطة: Susthita Menon P. Visvanathan N. V.
منشور في: (2005) -
Kesan penipisan wafer terhadap keutuhan mekanikal wafer silikon dan proses pemotongan /
بواسطة: Hoh, Huey Jiun
منشور في: (2006) -
Preparation and characterization of phosphorus doped amorphous silicon for P-I-N photosensor fabrication /
بواسطة: Akhter, Sarkar Mahbub
منشور في: (1999) - The optimization of P-i-N power switching diode in term of reverse breakdown voltage and electrostatic disharge performance
-
Nonlinear optical properties of semiconductor n-i-p-i structures /
بواسطة: Tang, Xiaohong
منشور في: (1997)