Modelling Of Single Photon Avalanche Diodes
The avalanche dynamics in single photon avalanche diodes (SPADs) in the form of GaAs p+ -i-n+ diode structures was investigated theoretically using a simple random ionisation path length (RPL) MODEL. In the RPL model, the avalanche multiplication process in the i-region of a diode is modelled by gen...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| منشور في: |
2008
|
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|