Fabrication and chracterization of single and multilayer tunnel dielectrics for advanced floating gate flash memory

The floating gate device has been the workhorse for the non-volatile memory technology since the beginning of flash memory era. However, as the device is scaled down towards the realms of nanometer dimension, floating gate flash faces a very steep scaling path. The tunnel oxide scaling has a practic...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Ramzan, Mat Ayub
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/44368/1/P.1-24.pdf
http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/44368/2/Full%20Text.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!