Optimization of P-I-N rectifier diode for yield and robustness improvement using DOE
The Power Rectifier (P-i-N rectifier) is one of the widely used diode in high power semiconductor devices as circuit protection. This popularity comes from excellent reverse voltage blocking and fast switching time. As a result, the exploration on the power rectifiers to make the device more robust...
محفوظ في:
التنسيق: | أطروحة |
---|---|
اللغة: | English |
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/78205/1/Page%201-24.pdf http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/78205/2/Full%20text.pdf http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/78205/4/Cheah%20Chai%20Mee.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|