Design And Performance Of Laser Structures Based On Group III-Nitrides [QC689.55.S45 T363 2008 f rb].
Simulasi peranti bagi ciri elektrik, optik dan terma diod-diod laser (LDs) berasaskan GaN telah dikaji. Bagi laser-laser sedemikian adalah susah memperolehi lapisan penutup-p yang mempunyai ketebalan yang mencukupi, Device simulations for the electrical, optical and thermal characteristics of GaN...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2008
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/10397/1/DESIGN_AND_PERFORMANCE_OF_LASER.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| الملخص: | Simulasi peranti bagi ciri elektrik, optik dan terma diod-diod laser (LDs) berasaskan GaN telah dikaji. Bagi laser-laser sedemikian adalah susah memperolehi lapisan penutup-p yang mempunyai ketebalan yang mencukupi,
Device simulations for the electrical, optical and thermal characteristics of GaN-based laser diodes (LDs) have been investigated. It is difficult to obtain pcladding layers with sufficient thickness of high Al composition and high acceptor concentration,
|
|---|