Design And Performance Of Laser Structures Based On Group III-Nitrides [QC689.55.S45 T363 2008 f rb].
Simulasi peranti bagi ciri elektrik, optik dan terma diod-diod laser (LDs) berasaskan GaN telah dikaji. Bagi laser-laser sedemikian adalah susah memperolehi lapisan penutup-p yang mempunyai ketebalan yang mencukupi, Device simulations for the electrical, optical and thermal characteristics of GaN...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Thesis |
| 語言: | English |
| 出版: |
2008
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | http://eprints.usm.my/10397/1/DESIGN_AND_PERFORMANCE_OF_LASER.pdf |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| 總結: | Simulasi peranti bagi ciri elektrik, optik dan terma diod-diod laser (LDs) berasaskan GaN telah dikaji. Bagi laser-laser sedemikian adalah susah memperolehi lapisan penutup-p yang mempunyai ketebalan yang mencukupi,
Device simulations for the electrical, optical and thermal characteristics of GaN-based laser diodes (LDs) have been investigated. It is difficult to obtain pcladding layers with sufficient thickness of high Al composition and high acceptor concentration,
|
|---|