PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
Dalam penyelidikan ini, epitaksi alur molekul berbantukan plasma nitrogen frekuensi radio (RF) digunakan untuk menumbuhkan bahan galium nitrid (GaN) di atas substrat Si(111) dengan penggunaan aluminium nitrid (AlN) yang ditumbuhkan pada suhu tinggi sebagai lapisan penimbal. In this project, radio...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Thesis |
| 语言: | English |
| 出版: |
2009
|
| 主题: | |
| 在线阅读: | http://eprints.usm.my/15595/1/PA-MBE_GaN-BASED_OPTOELECTRONICS_ON_SILICON_SUBSTRATES.pdf |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
成为第一个发表评论!