Growth Of Gan Films On Gaas (100) Substrate By Rf-Sputtering And E-Beam Evaporation Techniques
Kajian ini menunjukkan penumbuhan lapisan gallium nitrida (GaN) ke atas substrat gallium arsenida (GaAs) berliang melalui kaedah percikan frekuensi radio dan penyejat alur elektron. Sebagai perbandingan, penumbuhan secara terus ke atas substrat GaAs dan lapisan penampan nitrida seperti aluminum nitr...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Thesis |
| 語言: | English |
| 出版: |
2016
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | http://eprints.usm.my/31850/1/MUHAMAD_IKRAM_BIN_MD_TAIB_24%28NN%29.pdf |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|