The Effect Of Implant Angle And Resist Shadowing In Submicron Implant Technology [QC702.7.I55 L478 2006 f rb].
Dengan adanya peningkatan teknologi bagi industri fabrikasi litar terkamil (IC) ke tahap 90nm dan seterusnya, masih terdapat isu yang perlu ditimbangkan untuk technologi yang lebih rendah (0.13μm dan 0.22μm). As the integrated circuit (IC) fabrication industry gears up to volume manufacturing of...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Thesis |
| 语言: | English |
| 出版: |
2006
|
| 主题: | |
| 在线阅读: | http://eprints.usm.my/9830/1/THE_EFFECT_OF_IMPLANT_ANGLE_AND_RESIST_SHADOWING_IN_SUBMICRON_IMPLANT_TECHNOLOGY.pdf |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
| 总结: | Dengan adanya peningkatan teknologi bagi industri fabrikasi litar terkamil (IC) ke tahap 90nm dan seterusnya, masih terdapat isu yang perlu ditimbangkan untuk technologi yang lebih rendah (0.13μm dan 0.22μm).
As the integrated circuit (IC) fabrication industry gears up to volume manufacturing of 90nm technology node and beyond, there are issues still need to be addressed at the lower technology nodes such as 0.13μm and 0.22μm.
|
|---|