Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS
Objektif projek ini adalah melakukan rekabentuk dan simulasi sebuah transistor nMOS dengan saiz salur 0.13 11m. Dengan melaksanakan peraturan penskalaan, transistor nMOS 0.13 11m direkabentuk daripada resipi transistor CMOS 0.18 11m yang telah direkabentuk dan disimulasikan sebelum ini dengan...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ahmad, Afandi |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2003
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.uthm.edu.my/7600/1/24p%20AFANDI%20AHMAD.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Simulation, fabrication and characterization of NMOS transistor
بواسطة: Rifai, Damhuji
منشور في: (2006) -
Simulation, fabrication and characterization of NMOS transistor
بواسطة: Rifai, Damhuji
منشور في: (2006) -
Mask design, fabrication and test NMOS transistor
بواسطة: Sahdan, Mohd Zainizan
منشور في: (2004) -
A 0.13-μm Cmos Reconfigurable Power Constrained Simultaneous Noise And Input Matching (Pcsnim) Low Noise Amplifier (Lna) For Multi-Standard 0.9, 1.8 And 2.1 Ghz Mobile Application
بواسطة: Hashim, Awatif
منشور في: (2016) -
Development Of Inductively-Degenerated LNA For W-CDMA Application Utilizing 0.18 Um RFCMOS Technology
بواسطة: Mohd. Noh, Norlaili
منشور في: (2009)