Optimization of vhf-pecvd deposition parameters for silicon carbide film using in-situ and in-line gas phase analysis
In this study, the feasibility of using very high frequency (100 MHz to 200 MHz) Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (VHF-PECVD) technique to deposit crystalline silicon carbide (SiC) thin films was investigated. High quality crystalline SiC film is very challenging to be produced since high...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2022
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/102659/1/MuhamadMuizzudinAzaliMFS2022.pdf.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|