Design and analysis of the silicon-based integrated metal-insulator-metal capacitor
At present, the high possible of miniaturization of a component has become an urgent necessity, particularly in silicon-based integrated circuit design. One of the keys to enhance the integrated circuits by constructing a Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitors in the silicon-based of electronic appl...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Rosli, Nurul Asyikin |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2022
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/102691/1/NurulAsyikinRosliMSKE2022.pdf.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Design of 200V n-type superjunction lateral insulated gate bipolar transistor on partial silicon on insulator
بواسطة: Kho, Elizabeth Ching Tee
منشور في: (2014) -
Metallic particle detection in gas insulated switchgear appratus using acoustic technique
بواسطة: Ahmed, Feroz
منشور في: (1998) -
Analysis of device design and material structure on MEMS variable capacitor
بواسطة: Low, Chun Kang
منشور في: (2022) -
Electric field study of silicon rubber insulator using finite element method (SLIM)
بواسطة: Hamdan, Rohaiza
منشور في: (2006) -
Mobility enhancement of nanoscale biaxial strained silicon metal-oxide semiconductor field effect transistor
بواسطة: Wong, Yah Jin
منشور في: (2009)