توثيق جمعية علم النفس الأمريكية APA (الطبعة السابعة)

Alawey, S. Z. (2014). Gate oxide short (gos) defect modeling based on 32 nm CMOS process.

توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)

Alawey, Sahar Z. Gate Oxide Short (gos) Defect Modeling Based on 32 Nm CMOS Process. 2014.

توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)

Alawey, Sahar Z. Gate Oxide Short (gos) Defect Modeling Based on 32 Nm CMOS Process. 2014.