Enhancing SRAM performance of common gate FinFET by using controllable independent double gate

This project is focus on the research and evaluation on the characteristic of independent controllable gate FinFET structure in static random access memory (SRAM) circuitry. BSIM-CMG model for common gate FinFET is chosen in this research. The independent controllable gate FinFET is constructed usin...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Chong, Chung Keong
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
منشور في: 2015
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.utm.my/id/eprint/53897/1/ChongChungKeongMFKE2015.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!