Study on threshold voltage shifts and reliability in PFETs by high-voltage on-state and off-state stress
In recent decades, electronics have made much progress thanks to the scaling of silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) very-large-scale integration (VLSI). Now, dimensions of state-of-the-art metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are as small as tens of nanomet...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2013
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/78380/1/NurulEzailaAliasPFS2013.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|