The effects of annealing on microstructural changes for aluminium nitride epitaxial grown on sapphire by transmission electron microscopy
The performance of semiconductor devices depends strongly upon the microstructure of the materials. Therefore the microstructural control is intrinsically important for fabrication of high performance devices. In this research, the microstructures have been analysed in detail and the mechanisms of m...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Kaur, Jesbains |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2017
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/92232/1/JesbainsKaurPMJIIT2017.pdf.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
High quality single-crystalline aluminum nitride grown using pulsed atomic-layer epitaxy technique by MOCVD on sapphire substrate /
بواسطة: Mohd Nazri Abd Rahman
منشور في: (2021) -
Transmission electron microscopy of microstructures produced in processing of silikon semiconductor devices /
بواسطة: Jia, Yumin
منشور في: (2001) -
Study of III-nitrides heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE)
بواسطة: Chin, Che Woei
منشور في: (2009) -
Electron microscopy studies of insoluble inorganic materials grown in gels
بواسطة: Jariah Abdullah
منشور في: (1988) -
Growth of semi-polar (11-22) GaN epitaxial layer on M-plane sapphire via MOCVD /
بواسطة: Mohd Afiq Anuar
منشور في: (2020)