Performance of advanced-process and multi-gated mosfets based on geometric and process design considerations /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Fazliyatul Azwa Md Rezali (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2017.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Degradation analysis based on design considerations of advanced-process MOSFET /
بواسطة: Ainul Fatin Muhammad Alimin
منشور في: (2018) -
A study on the impact of processing parameters on low-voltage power MOSFET /
بواسطة: Nur Aqilah Othman
منشور في: (2012) -
Hot-carrier effects in thin gate oxide MOSFET's /
بواسطة: See, Leng Kian
منشور في: (1998) -
Hot-carrier degradation study in MOSFET's by charge pumping, gated-diode and floating gate techniques /
بواسطة: Goh, Yong Han
منشور في: (1997) -
Extraction of submicron mosfet parameters /
بواسطة: Seah, Kah Suan
منشور في: (1997)