High quality single-crystalline aluminum nitride grown using pulsed atomic-layer epitaxy technique by MOCVD on sapphire substrate /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Mohd Nazri Abd Rahman (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2021.
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/12834/ |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Growth of semi-polar (11-22) GaN epitaxial layer on M-plane sapphire via MOCVD /
بواسطة: Mohd Afiq Anuar
منشور في: (2020) -
Epitaxial growth of semi-polar (11-22) Gallium nitride for UV photosensing application /
بواسطة: Abdullah Haaziq Ahmad Makinudin
منشور في: (2020) -
Growth of non-polar (11-20) A-plane GaN based leds grown on (1-120) R-plane sapphire substrate via MOCVD /
بواسطة: Anas Kamarundzaman
منشور في: (2022) -
Crystal quality enhancement of semi-polar (11-22) InGaN/GaN-based LED grown on m-plane sapphire substrate via MOCVD /
بواسطة: Fadhil, Omar Ayad
منشور في: (2019) -
Plasma enhanced chemical vapour deposition of carbon nitride films from ethane and nitrogen gas mixtures /
بواسطة: Maisara Othman
منشور في: (2012)