Numerical and experimental studies of backgating in high electron mobility transistors /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Lee, Kin Man |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1995.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
New techniques for the characterization of hot-carrier degradation in MOS devices /
بواسطة: Leang, Sern Ee
منشور في: (1997) -
Characterization of hot-carrier degradation in submicrometer MOS transistors /
بواسطة: Ang, Diing Shenp
منشور في: (1997) -
Performance of 7NM strained finfet of different channel material based on geometrical properties /
بواسطة: Fatin Nur Nadzirah Azhari
منشور في: (2016) -
Hot-carrier characterization of submicrometer MOS transistors : subthreshold degradation and channel-width effect /
بواسطة: Qin, Wei Han
منشور في: (1998) -
The effect of doping concentration on the characteristics of n-channel MOSFET /
بواسطة: Teen, Soh Hong
منشور في: (2005)