The influence of a layer of oxide on electromigration performance of Al/Cu/Si metal lines /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Koh, David Khar Ann |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1995.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Device Characterization of 0.8-µm CMOS Technology
بواسطة: Kooh, Roy Jinn Chye
منشور في: (2000) -
Modelling and simulation of hot-carrier degradation in submicrometre MOS transistors /
بواسطة: Seah, Boon Pian
منشور في: (1995) -
Analytic methods for timing analysis of interconnects in CMOS very large scale integrated circuits /
بواسطة: Yong, Alan Kuen Fatt
منشور في: (1997) -
Development of design framework to overcome aging degradation of 16NM VLSI technology circuits /
بواسطة: Mahmoud, Mohamed Mounir
منشور في: (2013) -
Defectivity improvement in advanced processes and its investigation to negative bias temperature instabilities in High-K/Metal-Gate Deep-Submicron CMOS /
بواسطة: Yasmin Abdul Wahab
منشور في: (2015)