Study of MBE grown AIInGaAs/AIGaAs quantum wells and their application in semiconductor lasers /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Zhang, Zhihe |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1997.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study of traps in semi-insulating GaAs grown by MBE at low temperatures /
بواسطة: Goo, Chuen Hang
منشور في: (1997) -
Defect studies of MBE grown AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs materials /
بواسطة: Du, An Yan
منشور في: (1998) -
A study of GaAs/InGaAs/AIAs stepped quantum wells by C-V profiling /
بواسطة: Mohd. Edee Rozey Abd. Manaf
منشور في: (2001) -
Low-temperature grown semiconducting GaAs epilayer on Si by molecular beam epitaxy and its application to laser diodes /
بواسطة: Phua, Cheng Chiang
منشور في: (1997) -
Growth and characterization of InGaAlAs quaternary alloy for laser diode applications /
بواسطة: Ramam Akkipeddi
منشور في: (1997)