High frequency characteristic studies of the n-channel enhancement mode power mosfet device /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Rosli Sahrani |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2000.
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/id/eprint/1612 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
The effect of doping concentration on the characteristics of n-channel MOSFET /
بواسطة: Teen, Soh Hong
منشور في: (2005) -
Indium implant in short channel n-mosfets device fabrication /
بواسطة: Ong, Shiang Yang
منشور في: (2001) -
ZCS for series-connected mosfets in high-power PWM DC-DC converters /
بواسطة: Ng, Gek Ling
منشور في: (2000) -
Design of partial soi power mosfet for high frequency application /
بواسطة: Ren, Changhong
منشور في: (2001) -
Characterization of planar and vertical n-channel mosfet in nanometer regime
بواسطة: Sulaiman, Ima
منشور في: (2007)