Ohmic contacts for compound semiconductors : gallium arsenide and gallium nitride /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Zhang, Dan |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2000.
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Ohmic contact formation of gallium nitride and electrical properties improvement
بواسطة: Aiman, Mohd Halil
منشور في: (2016) -
Fabrication and characterization of Ohmic contacts made with Au/Ni/Ge/Au multilayer metallization system on N-type gallium arsenide /
بواسطة: Lee, Seng Hin
منشور في: (1990) -
Metal-semiconductor-metal ultra-violet detectors based on Gallium nitride and aluminium gallium nitride /
بواسطة: Gu, Wenhua
منشور في: (2003) -
Ion implantation in gallium nitride /
بواسطة: Sun, Yuejun
منشور في: (2000) -
Plasma-induced damage to gallium nitride /
بواسطة: Choi, Hoi Wai
منشور في: (2002)