Gate oxide integrity (GOI) for C13 (0.13 [micro]m) silicon processing technology /

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Yong, Yoong Hooi
Format: Thesis Book
Language:English
Published: 2006.
Subjects:
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
LEADER 01161cam a2200289 a 4500
001 u736629
003 SIRSI
005 200704111448
008 070411s2006 my a t 000 0 eng m
040 |a UMM  |d UMJ 
090 |a TJ7  |b UM 2006 Yon 
097 |a TJ7  |b UM 2006 Yon 
100 1 |a Yong, Yoong Hooi. 
245 1 0 |a Gate oxide integrity (GOI) for C13 (0.13 [micro]m) silicon processing technology /  |c Yong Yoong Hooi. 
260 |c 2006. 
300 |a 164 leaves :  |b ill. ;  |c 30 cm. 
502 |a Dissertation (M.Eng.Sc.) -- Jabatan Kejuruteraan Mekanik, Fakulti Kejuruteraan, Universiti Malaya, 2006. 
504 |a Bibliography: leaves 161-164. 
650 0 |a Metal oxide semiconductors, Complementary. 
650 0 |a Gate array circuits. 
650 0 |a Silicon oxide films  |x Testing. 
650 0 |a Dielectrics  |x Testing. 
710 2 |a Universiti Malaya.  |b Jabatan Kejuruteraan Mekanik. 
596 |a 1 7 
900 |a SJMK 
999 |a TJ7 UM 2006 YON  |w LC  |c 1  |i A512900337  |d 27/5/2015  |e 27/5/2015  |f 6/12/2007  |g 1  |l STACKS  |m P01UTAMA  |n 1  |r Y  |s Y  |t TESIS  |u 6/12/2007 
999 |a TJ7 UM 2006 YON  |w LC  |c 1  |i A513003546  |d 18/8/2008  |f 18/8/2008  |g 2  |l STACKS  |m P07JURUTER  |r Y  |s Y  |t TESIS  |u 14/8/2008