Characterization of pmosfet degradation in negative bias temperature instability test /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Soon, Foo Yew (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2012.
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/id/eprint/8383 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Negative bias temperature instability and permittivity dependent delay mitigation in High-K metal oxide compatible cmos dielectric /
بواسطة: Karim, Nissar Mohammad
منشور في: (2015) -
A study of long and short channel NMOSFET on threshold voltage /
بواسطة: Norseha Ariffin
منشور في: (2013) -
Development of empirical potential profile model for unusual energy separation of subbands in inidium-absorbed Si(111) inversion layer /
بواسطة: Nur Idayu binti Ayob
منشور في: (2015) -
Optimization and characterization of 130 Nm CMOS transistor design using TCAD simulation /
بواسطة: Hani Noorashiqin Abd Majid
منشور في: (2007) -
A study of hot carrier degradation in LDMOS transistor /
بواسطة: Atikah Razi
منشور في: (2013)