Modeling and simulation of metal organic halide vapor phase epitaxy growth chamber reactor /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Nurul Zieyana Mohamed Annuar (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013.
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/id/eprint/8652. |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Plasma enhanced physical vapor deposition of titanium nitride thin film /
بواسطة: Chew, Sweet Perng
منشور في: (2002) -
High quality single-crystalline aluminum nitride grown using pulsed atomic-layer epitaxy technique by MOCVD on sapphire substrate /
بواسطة: Mohd Nazri Abd Rahman
منشور في: (2021) -
Growth of the transition metal silicides films from single source precursors by MOCVD /
بواسطة: Luo, Lan
منشور في: (1998) -
Fabrication and characterization of polymeric and nanostructured carbon nitride thin films : a simple difference in electrode distance /
بواسطة: Richard Ritikos
منشور في: (2011) -
Hot-wire plasma enhanced chemical vapour deposition system for preparation of silicon carbide thin films /
بواسطة: Aniszawati Azis
منشور في: (2012)