Failure Analysis Investigation on 2N7002LTI TMOS Device Due to Electrostatic Discharge (ESD) Failures
The common failures in the electronic devices e.g. Metal Oxide Semiconductor(MOS), and T type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (TMOS) are due to Electrostatic Discharge(ESD) and Electrical Overseers(EOS). A review is carried out giving an account of various types of failures and f...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English English |
| منشور في: |
1998
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://psasir.upm.edu.my/id/eprint/10121/1/FK_1998_5_A.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|