Anodization Of Zirconium For The Formation Of High-K Dielectric Zirconia (Zro2) Thin Film
Zirconia (ZrO2) is a promising material for future high-k gate dielectric applications. With the decreasing of the get dielectric thickness (<1.4nm), silicon dioxide (SiO2) layer suffered from basic problem of high tunneling leakage current due to its low dielectric constant (k=3.9). ZrO2 has a p...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2011
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/42216/1/NOOR_REHAN_ZAINAL_ABIDIN.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|