Polycrystalline Gan Layer On M-Plane Sapphire Substrate For Metal-Semiconductor-Metal Photodetector
This thesis describes work on depositing polycrystalline gallium nitride (GaN) on m-plane sapphire substrate using cost effective physical deposition technique; electron beam (e-beam) evaporator and radio frequency (RF) sputtering, followed by annealing treatment in ammonia (NH3) ambient. The work w...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Kamarulzaman, Azharul Ariff |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2017
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/47791/1/POLYCRYSTALLINE%20GaN%20LAYER%20ON%20M-PLANE.pdf%20cut.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Polycrystalline GaN Layer On M-Plane Sapphire Substrate For Metal-Semiconductor-Metal Photodetector
بواسطة: Kamarulzaman, Azharul Ariff
منشور في: (2017) -
Investigation of intermediate layer for Ag/Si metal-semiconductor contacts
بواسطة: Bahri, Bibi Zulaika
منشور في: (2019) -
Studies on the growth and characterization of rare-earth Gd-Doped InGan/Gan magnetic semiconductor heterostructures
بواسطة: Mohd Tawil, Siti Nooraya
منشور في: (2011) -
Synthesis And Characterization Of Undoped And Mg-Doped Zno Nanorods By Hydrothermal Method For Photodetector And Led Applications
بواسطة: Azzez, Shrook Adnan
منشور في: (2017) -
Pengkelasan Dan Pencirian Sampel Tanah Menggunakan Gelombang Mikro [QC661. F172 2007 f rb].
بواسطة: Aziz, Mohd Fairuz Affandi
منشور في: (2007)