Structural and optical properties of silicon carbide quantum dots grown by very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition

This study presents the synthesis of Silicon Carbide Quantum Dots (SiC QDs) by Very High Frequency-Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (VHF-PECVD) method. Si (100) was used as a substrate where the growth was performed at a much lower temperature (100°C) than previous work. Besides, the growt...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Jusoh, Haezah Munyati
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
منشور في: 2020
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.utm.my/id/eprint/101977/1/HaezahMunyatiJusohMFS2020.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!