Optimization of vhf-pecvd deposition parameters for silicon carbide film using in-situ and in-line gas phase analysis

In this study, the feasibility of using very high frequency (100 MHz to 200 MHz) Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (VHF-PECVD) technique to deposit crystalline silicon carbide (SiC) thin films was investigated. High quality crystalline SiC film is very challenging to be produced since high...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Azali, Muhamad Muizzudin
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
منشور في: 2022
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.utm.my/102659/1/MuhamadMuizzudinAzaliMFS2022.pdf.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!